<pre id="kaywb"><del id="kaywb"><menu id="kaywb"></menu></del></pre>

      1. <p id="kaywb"></p>

        1. <table id="kaywb"></table>
            <tr id="kaywb"></tr>
            您好,歡迎光臨!   請登錄 免費注冊    
              您的位置:電子變壓器資訊網 > 資訊中心 >  電源行業 > 正文
            根據示波器測定MOSFET波形計算功率損耗
            [發布時間]:2022年3月29日 [來源]:網絡 [點擊率]:409
            【導讀】: MOSFETIGBT的開關損耗測驗是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么如何用...

              MOSFET/IGBT的開關損耗測驗是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么如何用示波器測試MOS管功率損耗?

              一般來說,開關管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現在“導通過程”和“關閉過程”,小部分能量體現在“導通狀態”,而關閉狀態的損耗很小幾乎為0,可以忽視不計。

              開關波形的測定

              Figure 1 所示的是開關電路和波形監視探頭。MOSFET 的漏- 源級間電圧使用差動電圧探頭來測定,漏極電流則使用電流探 頭來測定。

              Figure 2 所示的是各部位波形和功率損耗(陰影部分)。ton表示 Turn on 時間,toff 表示 Turn off 時間,這個區間中 VDS 和 ID 重 合部分發生開關損耗。由于電路中的感性負載,Turn on 時 ID 會先開始變化,待電流變化結束后 VDS 才開始變化。Turn off 時與之相反,VDS 先開始變化,電圧變化結束后 ID才開始變化。 接下來 TON 是指 MOSFET 的 導通區間,ID 和 MOSFET 的導 通電阻會引起導通損耗的產生。 最新的示波器有可以將陰影部分自動演算并顯示功率損耗的功 能,如果是沒有該功能的型號,就需要根據測定波形來計算。

              接下來說明測定時的注意點。首先是示波器的采樣數。采樣數 較少的話,波形的詳細部分會有所遺漏,于是導致測定結果有誤差。需要將采樣點表示出來來確認是否能正確追蹤波形。第 二個注意點,因為電圧探頭和電流探頭間的延遲時間特性不同, 測定波形中包含該延遲差所導致的誤差。如不予以修正,電壓和電流間的時間軸方向會錯位、Figure 2 的陰影部分面積就不 正確了,會得出大于或小于實際的損耗值結果。為了去除這個 測定系統的延遲差,需要進行糾偏修正 (de-skew)。方法請參考測量儀器操作手冊或測定器廠商的技術資料。

              波形的近似計算

              這里對測定波形用線性近似法來對各個時間范圍進行分割從而 計算功率損耗。首先是計算 Turn on 和 Turn off 時間所消耗的 功率損耗 Pton,、Ptoff。功率損耗使用 Table 1 的近似算式來計 算。根據波形的形狀不同計算式也各自不同,因此需選擇與測定波形相近的算式。

              Figure 3 所示的是波形的一個例子,Turn on 時波形分為 2 份,前半部份(ton1)使用 Table 1 的 Case2,其條件使用 ID1?0 的式子。后半部分(ton2)使用 Case3、VDS2?0 的式子。Figure 3 中VDS2(on)是 MOSFET 的導通電阻和 ID 引起的電圧差,若與 VDS 的 High 電圧相比很小的話可視為 0。作為結果,Turn on 時的功率損耗可用下式來近似計算:

              同樣,也將 Turn off 時的波形分為 2 份,前半部分(toff1)使用 Case1、VDS1?0 的式子。后半部分(toff2)使用 Case8、ID2?0 的 式子。Figure 3 的 VDS1(off)也是前述相同的理由產生的電圧,若 與 VDS 的 High 電圧相比很小的話可視為 0。作為結果,Turn off 時的功率損耗可用下式來近似計算:

              接下來計算的是導通時消耗的功率損耗。Figure 4 所示的 是計 算導通損耗的波形的一個例子。由于 TON 區間內 MOSFET 是 導通狀態,VDS 是 MOSFET 導通電阻與 ID的乘積。導通電阻的 值請參考 datasheet。選擇 Table 2 的波形的形狀相近的算式, 用近似算式來計算功率損耗。 這個例子使用的是 Table 2 的 Case1。導通損耗可根據下式來 計算:

              接下來是 MOSFET 在 OFF 時的功率損耗。Figure 4 所示的是 TOFF 的區間,MOSFET 在 OFF 時 ID 十分小因此功率損耗視為 0。 MOSFET 的功率損耗以上計算出的功率損耗的總和。

              根據實測開關波形(Figure 5)計算功率損耗。 Turn on時、導通時和Turn off 時的波形放大分別如 Figure 6、 7、8 所示:

              Figure 5. 功率損耗的計算所使用的開關波形 羅姆制造 SiC MOSFET SCT3040KR 開關頻率 200kHz

              Figure 6 是 Turn on 時的波形放大。由于波形中途斜率發生變 化,以大致相同的斜率來分割區間,由于波形較為復雜,劃分 方式會比較主觀。讀出各個區間的開始電圧和電流、結束電圧 和電流、時間,數值代入 Table 1 的式(A)中求得損耗功率。 Turn on 時的計算例如下面所示,分割為編號 t1~t5 的各個區間。

            [上一頁] [1] [2] [下一頁]

            投稿箱:
               電子變壓器、電感器、磁性材料等磁電元件相關的行業、企業新聞稿件需要發表,或進行資訊合作,歡迎聯系本網編輯部QQ: , 郵箱:info%ett-cn.com (%替換成@)。
            第一時間獲取電子變壓器行業資訊,請在微信公眾賬號中搜索“電子變壓器資訊”或者“dzbyqzx”,或用手機掃描左方二維碼,即可獲得電子變壓器資訊網每日精華內容推送和最優搜索體驗,并參與活動!
            溫馨提示:回復“1”獲取最新資訊。
            韩国男男腐啪gv肉视频

            <pre id="kaywb"><del id="kaywb"><menu id="kaywb"></menu></del></pre>

                1. <p id="kaywb"></p>

                  1. <table id="kaywb"></table>
                      <tr id="kaywb"></tr>